СОДЕРЖАНИЕ
Инженерный расчет элементов принципиальной схемы насыщенного ключа на БТ и его параметров. 3
1.1 Расчет сопротивления резисторов R1, R2 и Rк принципиальной схемы ключа. 3
1) Согласно с заданием связываем формулы (8.2), (8.3) и (8.6) и находим Rк экв. 3
2) Рассчитываем значения тока коллектора и базы Iкн, Iбн, соответствующие режиму насыщения, а также значения тока базы Iбm при максимальном значении входного напряжения Uвх m. 4
3) Сопротивление резистора R1 находится согласно формуле (8.24): 5
1.2 Построение передаточной характеристики ключа Uвых = f (Uвх), пользуясь семейством входных и выходных ВАХ БТ. Определение значения параметров , , , . 6
1.3 Расчет параметров быстродействия ключа tвкл, tзад выкл, tсп, tвр U. 9
1.4 Результаты расчета. 9
1.5 Ответы на контрольные вопросы. 10
Исходные данные:
|
вар. |
Тип БТ |
, В |
, В |
, кОм |
S |
, В |
В |
, В |
, нФ |
|
02 |
КТ337Б |
15 |
3 |
5,0 |
5 |
10 |
1 |
6 |
0,2 |
1. Инженерный расчет элементов принципиальной схемы насыщенного ключа на БТ и его параметров.
1.1 Расчет сопротивления резисторов R1, R2 и Rк принципиальной схемы ключа.
1) Согласно с заданием связываем формулы (8.2), (8.3) и (8.6) и находим Rк экв.
Из (8.3) выражаем Rк:
Из (8.6) выражаем Uип экв:
Из (8.2) выражаем Rk:
В эту формулу подставляем Rк и Uип экв, выраженные из формул (8.3) и (8.6) соответственно, получим:
Далее производим алгебраические преобразования и выводим значение Rк экв.
Тогда
где
Находим значение Rк, выведенное из формулы (8.3):
Список использованной литературы:
-
