Задание №1 3
Задание №2 6
Задание №3 7
Задание №4 9
Задание №5 9
Список использованных источников 14
Задание №1. Найти, чему равна собственная концентрация свободных носителей заряда в кремнии (Si), германии (Ge), арсениде галлия (GaAs) и антимониде индия (InSb) при комнатной температуре T = 300K и температуре жидкого азота T = 77 K.
Si
|
T, К |
(d) |
(d) |
α, эВ/К |
|
|
300 |
1,08 |
0,56 |
1,21 |
2,4·10-4 |
|
77 |
Ge
|
T, К |
α, эВ/К |
|||
|
300 |
0,56 |
0,35 |
0,80 |
3,9·10-4 |
|
77 |
GaAs
|
T, К |
α, эВ/К |
|||
|
300 |
0,068 |
0,45 |
1,56 |
4,3·10-4 |
|
77 |
InSb
|
T, К |
α, эВ/К |
|||
|
300 |
0,013 |
0,6 |
0,235 |
2,8·10-4 |
|
77 |
...
Задание №2. Найти объемное положение уровня Ферми φ0 в германии (Ge) марки ГДА–10, p‑типа, легированный алюминием, удельное сопротивление ρ = 10 Ом·см.при температуре Т = 300 К.
...
Задание №3. Рассчитать дифференциальные сопротивления кремниевого p-n перехода при температурах 0 и 50о С и при нулевом приложенном напряжении. Принять, что тепловой ток при температуре 25о С составляет 10-11 А.
...
Задание №4. Рассчитать плотность тока, плотность электронного пространственного заряда, напряженность электрического поля и потенциал в точке межэлектродного пространства плоского диода, находящейся на расстоянии 1 мм от катода. Анодное напряжение принять равным 100 В, межэлектродное расстояние – 6 мм. Диод работает в режиме пространственного заряда.
...
Задача 5. Инженерный расчет стабилизированного источника напряжения.
Схема стабилизированного источника представлена на рисунке 5.1.
Рисунок 5.1 – схема стабилизированного источника напряжения с однополупериодной схемой выпрямителя
Исходные данные для расчета приведены в таблице 5.1.
|
№ варианта |
Выходное напряжение , В |
Ток нагрузки , мA |
Амплитуда пульсаций выходного напряжения , мВ |
|
13 |
3,9 |
150 |
50 |
После получения численных значений параметров элементов (сопротивлений и емкостей) необходимо выбрать их номинальные значения согласно рядам ГОСТа (прил. 1). Значения резисторов выбирать из ряда, соответствующего допустимому отклонению ±5 %, конденсаторов — ±20 %. При проведении всех последующих расчетов оперировать только номинальными значениями.
Список использованной литературы:
Электронные приборы /В.Н.Дулин, Н.А.Аваев, В.П.Демин и др. М.: Энергоатомиздат, 1989. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. М.: Энергоатомиздат, 1990. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1987. Батушев В.А. Электронные приборы. М.: Высшая школа, 1980. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. М.: Советское радио, 1980. Карлащук В.И. Электронная лаборатория на IBM PC. М.: Солон-Р, 1999. Панфилов Д.И., Иванов В.С., Чепурин И.Н. Электротехника и электроника в экспериментах и упражнениях. Т1,2. М.: Додэка, 1999.
