Задание №1 3
Задание №2 6
Задание №3 8
Задание №4 9
Задание №5 10
Список использованных источников 15
Задание №1. Найти, чему равна собственная концентрация свободных носителей заряда в кремнии (Si), германии (Ge), арсениде галлия (GaAs) и антимониде индия (InSb) при комнатной температуре T = 300K и температуре жидкого азота T = 77 K.
Задание №2. Рассчитать собственное удельное сопротивление ρi монокристаллов кремния (Si), германия (Ge), арсенида галлия (GaAs) и антимонида индия (InSb) при комнатной температуре.
Задание №3. Рассчитать контактную разность потенциалов и сопротивление базы диода на основе кремниевого p-n перехода при температуре 300 К. Принять, что концентрация легирующих примесей в p и n-областях составляет соответственно 3·1016 и 1015 см-3, площадь перехода – 0,1 см2, толщина базы – 0,2 см.
Задание №4. Рассчитать напряжение на клеммах кремниевого диода при токе 10 мА и температуре 300 К. Принять, что концентрация легирующих примесей в p- и n – областях составляет соответственно 2×1015 см-3 и 4×1016 см-3. площадь перехода – 0,2 см2, толщина базы – 0,3 см.
Принять, что тепловой ток при этой температуре равен 10-11А.
Задача 5. Инженерный расчет стабилизированного источника напряжения.
Схема стабилизированного источника представлена на рисунке 5.1.
Рисунок 5.1 – схема стабилизированного источника напряжения с однополупериодной схемой выпрямителя
Исходные данные для расчета приведены в таблице 4.1.
Таблица 4.1
|
№ варианта |
Выходное напряжение , В |
Ток нагрузки , мA |
Амплитуда пульсаций выходного напряжения , мВ |
|
27 |
6,8 |
100 |
30 |
После получения численных значений параметров элементов (сопротивлений и емкостей) необходимо выбрать их номинальные значения согласно рядам ГОСТа (прил. 1). Значения резисторов выбирать из ряда, соответствующего допустимому отклонению ±5 %, конденсаторов — ±20 %. При проведении всех последующих расчетов оперировать только номинальными значениями.
Список использованной литературы:
Электронные приборы /В.Н.Дулин, Н.А.Аваев, В.П.Демин и др. М.: Энергоатомиздат, 1989. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. М.: Энергоатомиздат, 1990. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1987. Батушев В.А. Электронные приборы. М.: Высшая школа, 1980. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. М.: Советское радио, 1980. Карлащук В.И. Электронная лаборатория на IBM PC. М.: Солон-Р, 1999. Панфилов Д.И., Иванов В.С., Чепурин И.Н. Электротехника и электроника в экспериментах и упражнениях. Т1,2. М.: Додэка, 1999.
