Электронные схемы - вариант 13

Фрагмент работы:

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДАХ

На вход диодного преобразователя поступает синусоидальное напряжение частотой f = 50 Гц с амплитудным значением Uвх.m.

Для заданной схемы преобразователя напряжения (рисунок 1.1) подобрать по справочнику полупроводниковые диоды, построить временные диаграммы напряжения на диодах и на нагрузке, а также тока, протекающего через диоды и нагрузку.

Рассчитать амплитудные значения напряжения Uнm и тока нагрузки Iнm.

Предельные, статические и динамические параметры диодов указаны в справочниках.

В таблице 1.1 приведены основные параметры выпрямительных диодов.

Таблица 1.1

Преобразователь напряжения на полупроводниковых стабилитронах

На вход схемы преобразователя напряжения на стабилитронах поступает синусоидальное напряжение частотой f = 50 Гц с амплитудным значением Uвх.m.

Для заданной схемы преобразователя напряжения (рисунок 2.1) подобрать по справочнику полупроводниковые стабилитроны, построить временные диаграммы напряжения на стабилитронах и на нагрузке, а также тока, протекающего через стабилитроны и нагрузку.

Рассчитать амплитудные значения напряжения Uнm и тока нагрузки Iнm.

Основные параметры полупроводниковых стабилитронов приведены в справочниках и сведены в таблицу 2.1

Варианты заданий в виде значений входного напряжения uвх, сопротивления нагрузки Rн и напряжения стабилизации Uст приведены в таблице 2.2.

Таблица 2.1

№ п/п	Параметр	Обозначение параметра	Единицы измерения
1	Номинальное напряжение стабилизации	Uст.ном	В
2	Минимальный ток стабилизации	Iст.min	А
3	Максимальный ток стабилизации	Iст.max	А
4	Максимально допустимая мощность, рассеиваемая на стабилитроне	Pmax	Вт
5	Дифференциальное сопротивление стабилитрона	rст	Ом
6	Температурный коэффициент напряжения стабилизации	aст	%/оС

 

Таблица 2.2

Вариант	13
Схема	3
UВХ.m, В	70
RH, Ом	50
UСТ1, В	58

Усилитель на биполярном транзисторе

На вход усилителя на биполярном транзисторе поступает синусоидальное напряжение частотой f = 1000 Гц с амплитудным значением Uвх.m.

Для заданной схемы транзисторного усилительного каскада (рисунок 3.1) на семействе выходных ВАХ построить линию нагрузки по постоянному току (ЛНПТ) и временные диаграммы токов, протекающих через все элементы схемы и напряжений на элементах с указанием на графиках их амплитудных значений.

Таблица 3.1

Вариант	13
Тип транзистора	КТ315
Схема	1
Еип., В	10
Есм, В	0,56
UВХ.m, мВ	10
RH, кОм	0,7

Усилитель на полевом транзисторе

На вход усилителя на полевом транзисторе поступает синусоидальное напряжение частотой f = 1000 Гц с амплитудным значением Uвх.m.

Для заданной схемы транзисторного усилительного каскада (рисунок 4.1) на семействе выходных ВАХ построить линию нагрузки по постоянному току (ЛНПТ) и временные диаграммы токов, протекающих через все элементы схемы и напряжений на элементах с указанием на графиках их амплитудных значений.

Таблица 4.1

Вариант	13
Тип транзистора	КП302
Схема	1
Еип., В	10
UВХ.m, мВ	250
RH, кОм	9

Преобразователь напряжения на тиристорах

На вход тиристорного преобразователя напряжения поступает синусоидальное напряжение частотой f = 50 Гц с амплитудным значением Uвх.m. В моменты времени, определимые углами отпирания тиристоров a1 и a2, на их управляющие электроды подаются импульсы тока управления iу с амплитудой и длительностью достаточными для надёжного отпирания тиристоров.

Для заданной схемы преобразователя напряжения (рисунок 5.1) подобрать по справочнику полупроводниковые тиристоры, построить временные диаграммы напряжения на тиристорах и на нагрузке, а также диаграммы тока, протекающего через тиристоры и нагрузку. Рассчитать амплитудные значения напряжения Uнm и тока нагрузки Iнm и указать их на временных диаграммах.

Основные параметры тиристоров сведены в таблице 5.1 и приведены в справочниках [2, 3].

Таблица 5.1

№ п/п	Параметр	Обозначение параметра	Единицы измерения
1	Максимально допустимое постоянное обратное напряжение на тиристоре	Uобр.max	В
2	Максимально допустимое постоянное напряжение на тиристоре в закрытом состоянии	Uзс.max	В
3	Максимально допустимый средний прямой ток тиристора	Iос.ср.max	А
4	Средняя за период мощность, рассеиваемая тиристором	Pср.	Вт
5	Падение напряжение на тиристоре в открытом состоянии	Uос.	В
6	Постоянный обратный ток тиристора	Iобр	А
7	Постоянный ток тиристора в закрытом состоянии	Iзс	А
8	Ток управления отпирания	Iу.от	А
9	Напряжение управления отпирания	Uу.от	В
10	Время включения тиристора	t вкл	с
11	Время выключения тиристора	t выкл	с

 

Значения входного напряжения uвх, сопротивления нагрузки Rн и углов отпирания тиристоров a1, a2 (относительно моментов естественной коммутации тиристоров) даны в таблице 5.2.

  

Таблица 5.2

Вариант	13
Схема	1
UВХ.m, В	10
RH, Ом	250
a1, эл. град	135

Устройство гальванической развязки на оптроне

На вход оптрона поступает однополярное прямоугольное напряжение частотой  f = 1000 Гц с амплитудным значением Uвх.m.

К выходу оптрона подключена нагрузка Rн. Выходная цепь оптрона получает питание от источника постоянного напряжения Eип.

Для заданной схемы устройства гальванической развязки (рисунок 6.1) выбрать по справочнику требуемый тип оптрона и рассчитать величину сопротивления Rвх во входной цепи оптрона.

Напряжение источника питания цепи нагрузки Eип, амплитуда входного прямоугольного напряжения Uвх.m и сопротивление нагрузки Rн приведены в таблице 6.1.

Таблица 6.1

Вариант	13
Схема	1
UВХ.m, В	7,5
Еип, В	15
RH, Ом	500

Список использованной литературы:

Расчёт электронных схем. Примеры и задачи: Учеб. пособие для вузов / Г.И. Изъюрова, Г.В. Королёв, В.А. Терехов и др. – М.: Высш. шк., 1987. – 335 с. Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник / Под ред. Н.Н. Горюнова. – М.: Энергоатомиздат, 1983. – 744 с. Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры: Справочник / Под ред. А.В. Голомедова. – М.: Радио и связь, 1988. – 528 с. Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник / Под ред. Н.Н. Горюнова. – М.: Энергоатомиздат, 1983. – 904 с. Транзисторы / Под ред. А.А. Чернышева. – М.: Энергия, 1980. – 144 с. Полупроводниковые приборы. Диоды высокочастотные, диоды импульсные, оптоэлектронные приборы: Справочник / Под ред. А.В. Голомедова. – М.: Радио и связь, 1988. – 592 с. Аксёнов А.И., Нефёдов А.В. Отечественные полупроводниковые приборы. – М.: СОЛОН - Пресс, 2005. – 584 с. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник /Под ред. Б.Л. Перельмана. – М.: Радио и связь, 1981. – 656 с.

Цена сегодня: 17.00 бел.руб.

---

Вы находитесь на сайте как незарегистрированный пользователь.
Для покупки работы Вам необходимо заполнить все поля ниже: