СОДЕРЖАНИЕ
Задание №1 3
Задание №2 6
Задание №3 8
Задание №4 9
Задание №5 10
Список использованных источников 15
Задание №1. Найти, чему равна собственная концентрация свободных носителей заряда в кремнии (Si), германии (Ge), арсениде галлия (GaAs) и антимониде индия (InSb) при комнатной температуре T = 300K и температуре жидкого азота T = 77 K.
Si
|
T, К |
(d) |
(d) |
α, эВ/К |
|
|
300 |
1,08 |
0,56 |
1,21 |
2,4·10-4 |
|
77 |
Ge
|
T, К |
α, эВ/К |
|||
|
300 |
0,56 |
0,35 |
0,80 |
3,9·10-4 |
|
77 |
GaAs
|
T, К |
α, эВ/К |
|||
|
300 |
0,068 |
0,45 |
1,56 |
4,3·10-4 |
|
77 |
InSb
|
T, К |
α, эВ/К |
|||
|
300 |
0,013 |
0,6 |
0,235 |
2,8·10-4 |
|
77 |
Задание №2. Полупроводники кремний (Si), германий (Ge), арсенид галлия (GaAs) и антимонид индия (InSb) легированы донорной примесью до концентрации Nd = 1015 см-3. Найти граничную температуру Тгр, при которой собственная концентрация носителей заряда ni еще ниже концентрации основных носителей заряда n0.
Задание №3. Рассчитать напряжение на клеммах кремниевого диода при токе 15 мА и температуре 300 К в соответствии с условиями задачи 7. Принять, что тепловой ток при этой температуре составляет 10-10А.
В соответствии с условиями задачи 7 концентрация легирующих примесей в p и n-областях составляет соответственно 3·1016 и 1015 см-3, площадь перехода – 0,1 см2, толщина базы – 0,2 см.
Задание №4. Плотность тока в плоском диоде в режиме насыщения составляет 0,1 А/см2 при анодном напряжении 2000 В, температура катода равна 1600 К, расстояние анод–катод – 1 мм.
Найти, какой станет плотность тока при увеличении анодного напряжения до 3000 В. Принять, что аномальный эффект Шоттки отсутствует.
Задача 5. Инженерный расчет стабилизированного источника напряжения.
Схема стабилизированного источника представлена на рисунке 5.1.
Рисунок 5.1 – схема стабилизированного источника напряжения с однополупериодной схемой выпрямителя
Исходные данные для расчета приведены в таблице 5.1.
|
№ варианта |
Выходное напряжение , В |
Ток нагрузки , мA |
Амплитуда пульсаций выходного напряжения , мВ |
|
10 |
30 |
15 |
5 |
Список использованной литературы:
Электронные приборы /В.Н.Дулин, Н.А.Аваев, В.П.Демин и др. М.: Энергоатомиздат, 1989. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. М.: Энергоатомиздат, 1990. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1987. Батушев В.А. Электронные приборы. М.: Высшая школа, 1980. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. М.: Советское радио, 1980. Карлащук В.И. Электронная лаборатория на IBM PC. М.: Солон-Р, 1999. Панфилов Д.И., Иванов В.С., Чепурин И.Н. Электротехника и электроника в экспериментах и упражнениях. Т1,2. М.: Додэка, 1999.
