Задание №1 3
Задание №2 6
Задание №3 7
Задание №4 8
Задание №5 11
Список использованных источников 15
Задание №1. Найти, чему равна собственная концентрация свободных носителей заряда в кремнии (Si), германии (Ge), арсениде галлия (GaAs) и антимониде индия (InSb) при комнатной температуре T = 300K и температуре жидкого азота T = 77 K.
Задание №2. Кремний (Si) и арсенид галлия (GaAs) легированы донорной примесью до концентрации Nd = 1017 см-3. Считая примесь полностью ионизованной, найти концентрацию основных и неосновных носителей заряда при температуре Т = 300K.
Задание №3. Рассчитать токи через кремниевый p-n переход при температурах 20 и 50о С и при напряжении 0,45 В. Принять, что тепловой ток при температуре 25оС равен 10-10 А.
Задание №4. Анодное напряжение плоского диода с оксидным катодом составляет минус 2 В, что соответствует режиму начальных токов.
Определить, насколько изменится анодный ток, если температура катода снизится с 1100 до 970 К. Рассчитать долю эмитированных катодом электронов, достигающих анода при температуре 1000 К.
Задача 5. Инженерный расчет стабилизированного источника напряжения.
Схема стабилизированного источника представлена на рисунке 5.1.
Исходные данные для расчета приведены в таблице 5.1.
|
№ варианта |
Выходное напряжение , В |
Ток нагрузки , мA |
Амплитуда пульсаций выходного напряжения , мВ |
|
1 |
3,3 |
40 |
10 |
После получения численных значений параметров элементов (сопротивлений и емкостей) необходимо выбрать их номинальные значения согласно рядам ГОСТа (прил. 1). Значения резисторов выбирать из ряда, соответствующего допустимому отклонению ±5 %, конденсаторов — ±20 %. При проведении всех последующих расчетов оперировать только номинальными значениями.
Список использованной литературы:
Электронные приборы /В.Н.Дулин, Н.А.Аваев, В.П.Демин и др. М.: Энергоатомиздат, 1989. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. М.: Энергоатомиздат, 1990. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1987. Батушев В.А. Электронные приборы. М.: Высшая школа, 1980. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. М.: Советское радио, 1980. Карлащук В.И. Электронная лаборатория на IBM PC. М.: Солон-Р, 1999. Панфилов Д.И., Иванов В.С., Чепурин И.Н. Электротехника и электроника в экспериментах и упражнениях. Т1,2. М.: Додэка, 1999.
