СОДЕРЖАНИЕ
Задание №1 3
Задание №2 6
Задание №3 7
Задание №4 7
Задание №5 8
Список использованных источников 13
Задание №1. Найти, чему равна собственная концентрация свободных носителей заряда в кремнии (Si), германии (Ge), арсениде галлия (GaAs) и антимониде индия (InSb) при комнатной температуре T = 300K и температуре жидкого азота T = 77 K.
Si
|
T, К |
(d) |
(d) |
α, эВ/К |
|
|
300 |
1,08 |
0,56 |
1,21 |
2,4·10-4 |
|
77 |
Ge
|
T, К |
α, эВ/К |
|||
|
300 |
0,56 |
0,35 |
0,80 |
3,9·10-4 |
|
77 |
GaAs
|
T, К |
α, эВ/К |
|||
|
300 |
0,068 |
0,45 |
1,56 |
4,3·10-4 |
|
77 |
InSb
|
T, К |
α, эВ/К |
|||
|
300 |
0,013 |
0,6 |
0,235 |
2,8·10-4 |
|
77 |
Задание №2. Найти удельное сопротивление ρ электронного и дырочного кремния (Si) с легирующей примесью Nd, a = 1016 см-3 при комнатной температуре.
Задание №3. Рассчитать контактную разность потенциалов для кремниевого и германиевого p-n переходов при температуре 20о С. Принять концентрации легирующих примесей в p и n – областях равными соответственно 3·1016 и 1015 см-3.
Задание №4. Температура вольфрамового катода составляет 2600 К. Вычислить высоту потенциального барьера перед катодом, образованного электронным пространственным зарядом в плоском диоде при плотности отбираемого тока, равной 0,1 А/см2. Определить, как изменится высота барьера, если температура катода снизится до 2450 К.
Задача 5. Инженерный расчет стабилизированного источника напряжения.
Схема стабилизированного источника представлена на рисунке 5.1.
Рисунок 5.1 – схема стабилизированного источника напряжения с мостовой схемой выпрямителя
Исходные данные для расчета приведены в таблице 5.1.
|
№ варианта |
Выходное напряжение , В |
Ток нагрузки , мA |
Амплитуда пульсаций выходного напряжения , мВ |
|
6 |
6,8 |
20 |
10 |
После получения численных значений параметров элементов (сопротивлений и емкостей) необходимо выбрать их номинальные значения согласно рядам ГОСТа (прил. 1). Значения резисторов выбирать из ряда, соответствующего допустимому отклонению ±5 %, конденсаторов — ±20 %. При проведении всех последующих расчетов оперировать только номинальными значениями.
Список использованной литературы:
Электронные приборы /В.Н.Дулин, Н.А.Аваев, В.П.Демин и др. М.: Энергоатомиздат, 1989. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. М.: Энергоатомиздат, 1990. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1987. Батушев В.А. Электронные приборы. М.: Высшая школа, 1980. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. М.: Советское радио, 1980. Карлащук В.И. Электронная лаборатория на IBM PC. М.: Солон-Р, 1999. Панфилов Д.И., Иванов В.С., Чепурин И.Н. Электротехника и электроника в экспериментах и упражнениях. Т1,2. М.: Додэка, 1999.
